| 型号： | PD20010S-E | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | STMicroelectronics | 描述： | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> RF FET |
| PD20010S-E PDF |  |
| 其它有关文件 | PD20010-E View All Specifications |
| 标准包装 | 50 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 频率 | 2GHz |
| 增益 | 11dB |
| 电压 - 测试 | 13.6V |
| 额定电流 | 5A |
| 噪音数据 | - |
| 电流 - 测试 | 150mA |
| 功率 - 输出 | 10W |
| 电压 - 额定 | 40V |
| 封装/外壳 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线） |
| 供应商设备封装 | PowerSO-10RF（直引线） |
| 包装 | 管件 |